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厂商型号

SN7002NH6327XTSA2 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

内部编号

173-SN7002NH6327XTSA2

#1

数量:3000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:2475
1+¥1.5043
10+¥1.0257
100+¥0.4308
1000+¥0.294
3000+¥0.2256
9000+¥0.1915
24000+¥0.1846
45000+¥0.1709
99000+¥0.1504
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#3

数量:1688
1+¥2.1654
10+¥1.9768
100+¥1.1078
500+¥0.5936
1000+¥0.4036
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SN7002NH6327XTSA2产品详细规格

规格书 SN7002NH6327XTSA2 datasheet 规格书
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 1.3
PCB 3
最大功率耗散 360
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 5000@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 2.9
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 1(Max)
最大连续漏极电流 0.2
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
安装风格 SMD/SMT
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 0.2 A
系列 SN7002
封装/外壳 PG-SOT-23
RDS(ON) 5 Ohms
功率耗散 0.36 W
下降时间 3.6 ns
最低工作温度 - 55 C
正向跨导 - 闵 0.17 S
典型关闭延迟时间 5.3 ns
零件号别名 SP000929188
上升时间 3.2 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
栅极电荷Qg 1.5 nC
工厂包装数量 3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.4 V
宽度 1.3 mm
Qg - Gate Charge 1.5 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
类型 SIPMOS Small Signal Transistor
产品 SIPMOS Small Signal
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 200 mA
长度 2.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 5 Ohms
身高 1.1 mm
典型导通延迟时间 2.4 ns
Pd - Power Dissipation 360 mW
技术 Si

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